一种垂直栅CMOS图像传感器及制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201911133006.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110828497B | 公开（公告）日 | 2022-03-18 |
| 申请公布号 | CN110828497B | 申请公布日 | 2022-03-18 |
| 分类号 | H01L27/146（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 田志;李娟娟;邵华;陈昊瑜 | 申请（专利权）人 | 上海华力微电子有限公司 |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 戴广志 |
| 地址 | 201203上海市浦东新区自由贸易试验区高斯路568号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种垂直栅CMOS图像传感器及制造方法，位于外延层上的转移管以及该转移管一侧、外延层中的光电二极管；转移管的垂直栅伸入外延层中并延伸至光电二极管所在的深度；位于外延层上、转移管另一侧的复位管；该复位管栅极两侧的外延层中分别设有N+区；其中一个与转移管相邻的N+区域形成浮动扩散点；转移管的垂直栅靠近所述光电二极管的区域呈凸面，靠近所述浮动扩散点的区域呈凹面。本发明形成靠近光电二极管区域易于收集的凸面，以及靠近浮动扩散点附近易于形成电子聚集效果的凹面，可以尽最大面积收集电子，朝浮动扩散点转移时集中转移，降低损失。从而实现电子从转移的多面性到收集的聚集性的全面改善。 |
