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NANDFlash叠层结构栅极制造方法

基本信息

申请号	CN202111376060.X	申请日	-
公开（公告）号	CN114220814A	公开（公告）日	2022-03-22
申请公布号	CN114220814A	申请公布日	2022-03-22
分类号	H01L27/115（2017.01）I;H01L27/11524（2017.01）I;H01L27/11529（2017.01）I;H01L29/423（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	许鹏凯;乔夫龙;孙文彦	申请（专利权）人	上海华力微电子有限公司
代理机构	上海浦一知识产权代理有限公司	代理人	焦天雷
地址	201203上海市浦东新区高斯路568号
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种NAND Flash叠层结构栅极制造方法，包括：第一次生长控制栅多晶硅之后，沉积氧化硅；光刻曝光选择栅极和外围栅极区域需移除层间介质层的区域；层间介质层刻蚀，去除选择栅极和外围栅极顶部曝开区域的氧化硅层、第一次生长的控制栅多晶硅和层间介质层，直至浮栅多晶硅；第二次生长控制栅多晶硅，第二次生长后的控制栅多晶硅底面至少与所述氧化硅层顶面持平；去除高于氧化硅层的第二次生长后的控制栅多晶硅；去除全部氧化硅；第三次生长控制栅多晶硅，使最终控制栅多晶硅的总厚度为设计厚度。采用本发明的工艺方法选择栅极和外围栅极的多晶硅表面不再有明显的凹凸不平的情况，从而可以显著增加后续的工艺窗口，并增加整个工艺流程的窗口。