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SOI二极管

基本信息

申请号 CN201811632266.2 申请日 -
公开（公告）号 CN109599441B 公开（公告）日 2022-03-18
申请公布号 CN109599441B 申请公布日 2022-03-18
分类号 H01L29/861（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 浦珺慧 申请（专利权）人 上海华力微电子有限公司
代理机构 上海浦一知识产权代理有限公司 代理人 王江富
地址 201203上海市浦东新区高斯路568号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种SOI二极管,硅衬底层的中部上方形成有二氧化硅中间层；二氧化硅中间层上方形成有上部硅层；上部硅层沿横向为依次邻接的上部P型注入区、体区及上部N型注入区；上部硅层、二氧化硅中间层在横向与硅衬底层由浅沟槽隔离区隔离；多晶硅栅形成于体区正上方，并且通过绝缘介质层同上部硅层隔离；上部P型注入区侧的硅衬底层形成有衬底P型注入区，并且上部P型注入区同衬底P型注入区互联短接；上部N型注入区侧的硅衬底层形成有衬底N型注入区，并且上部N型注入区同衬底N型注入区互联短接。本发明的SOI二极管，具有较小器件尺寸和较低导通电阻。