FDSOI标准单元的填充图形的生成方法以及版图布局方法
基本信息
| 申请号 | CN201910938131.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110660792B | 公开（公告）日 | 2022-03-18 |
| 申请公布号 | CN110660792B | 申请公布日 | 2022-03-18 |
| 分类号 | H01L27/02（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张凯;胡晓明 | 申请（专利权）人 | 上海华力微电子有限公司 |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 戴广志 |
| 地址 | 201203上海市浦东新区自由贸易试验区高斯路568号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请公开了一种FDSOI标准单元的填充图形的生成方法以及版图布局方法，该方法包括：获取标准单元库中FDSOI标准单元的参数；根据FDSOI标准单元的参数确定填充单元的参数；根据填充单元的参数生成FDSOI标准单元的填充图形。本申请通过根据FDSOI标准单元的参数确定填充单元的参数，根据填充单元的参数生成FDSOI标准单元的填充图形，由于填充单元的参数是基于FDSOI标准单元的参数确定的，因此能够解决不同类型的FDSOI器件之间的拼接问题，实现了不同类型的FDSOI器件在同一张晶圆上制备，降低了生产成本。 |
