一种标准单元库及衬底连接单元的版图结构设计方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种标准单元库及衬底连接单元的版图结构设计方法

基本信息

申请号	CN202111436023.3	申请日	-
公开（公告）号	CN114156265A	公开（公告）日	2022-03-08
申请公布号	CN114156265A	申请公布日	2022-03-08
分类号	H01L27/02（2006.01）I;G06F30/392（2020.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	高唯欢	申请（专利权）人	上海华力微电子有限公司
代理机构	上海思微知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	周耀君
地址	201315上海市浦东新区良腾路6号
法律状态	-

摘要

一种标准单元库的版图结构设计方法，包括：确定标准单元库中标准单元和衬底连接单元的版图设计基本参数，所述衬底连接单元用于为标准单元提供衬底电压；根据所述衬底连接单元的版图设计基本参数和衬底连接单元的版图设计规则，确定所述衬底连接单元的版图结构；所述标准单元库的版图结构设计方法，进一步包括：确定标准单元库中标准单元的高度；确定电源线轨道设计方法；确定地线轨道设计方法；确定中线位置；确定P型注入区域；确定N型注入区域。本发明会使得单元高度限制明显减少，所述限制包括：N/P型注入区到N/P注入层的最小距离L1，N/P型注入区的最小宽度L2，则其最小高度为3L1+L2，可适应更低的标准单元库高度和更先进的工艺。