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薄膜晶体管的制造方法

基本信息

申请号 CN201410291981.X 申请日 -
公开（公告）号 CN104037089B 公开（公告）日 2017-01-11
申请公布号 CN104037089B 申请公布日 2017-01-11
分类号 H01L21/336(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 吴德峻;林苡娴 申请（专利权）人 华映视讯（吴江）有限公司
代理机构 上海汉声知识产权代理有限公司 代理人 华映视讯（吴江）有限公司;中华映管股份有限公司
地址 215217 江苏省苏州市吴江经济开发区同里分区江兴东路555号
法律状态 -

摘要

摘要 一种薄膜晶体管制造方法，包括下列步骤。于基板上依序形成栅极、栅绝缘层及半导体层。于半导体层上形成第一光阻图案。以第一光阻图案为罩幕图案化半导体层，以形成信道。以光罩为罩幕图案化第一光阻图案，以形成信道保护图案。于基板上形成导电层，以覆盖信道保护图案及信道。于导电层上形成第二光阻材料层。再度以光罩为罩幕图案化第二光阻材料层，以形成第二光阻图案。第一光阻图案与第二光阻图案的一为正型光阻，而第一光阻图案与第二光阻图案的另一为负型光阻。以第二光阻图案为罩幕图案化导电层，以形成源极与漏极。