一种具有三层钝化层结构的太阳电池及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201910199970.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109888060A | 公开（公告）日 | 2019-06-14 |
| 申请公布号 | CN109888060A | 申请公布日 | 2019-06-14 |
| 分类号 | H01L31/18（2006.01）I; H01L31/0216（2014.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 尹丙伟; 张忠文; 吴俊旻; 张鹏; 杨蕾; 余波; 王岚 | 申请（专利权）人 | 通威太阳能有限公司 |
| 代理机构 | 昆明合众智信知识产权事务所 | 代理人 | 通威太阳能（合肥）有限公司; 通威太阳能（成都）有限公司; 通威太阳能（安徽）有限公司; 通威太阳能（眉山）有限公司; 通威太阳能有限公司 |
| 地址 | 230088 安徽省合肥市高新区长宁大道888号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种具有三层钝化层结构的太阳电池，包括硅基体，所述硅基体正面和背面均依次沉积有二氧化硅层第一钝化层、三氧化二铝或含有三氧化二铝的第二钝化层和富氢的氮化硅第三钝化层；位于所述硅基体背面的富氢的氮化硅第三钝化层上印刷铝层或铝栅线，通过激光刻槽与硅形成欧姆接触，背面设置有背电极；位于所述硅基体正面的富氢的氮化硅第三钝化层上设置有正电极和副栅线。本发明还公开了一种具有三层钝化层结构的太阳电池的制备方法。本发明通过在硅片的正、背表面各生长沉积了一层二氧化硅膜层，很好的增强正背面的钝化效果，同时增强了电池片的抗PID性能，并且可以有效的提升电池效率。 |
