一种钼基片镀厚钌的方法
基本信息
| 申请号 | CN201610619104.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106148896B | 公开（公告）日 | 2019-10-15 |
| 申请公布号 | CN106148896B | 申请公布日 | 2019-10-15 |
| 分类号 | C23C14/16;C23C14/34;C25D3/50;C25D5/38;C25D21/06 | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 杨素贤 | 申请（专利权）人 | 山东中科绿碳科技有限公司 |
| 代理机构 | 广州海藻专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 泉州市宕存工业设计有限公司;山东中科绿碳科技有限公司 |
| 地址 | 362100 福建省泉州市台商投资区张坂镇黄岭村上雪78号101 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种钼基片镀厚钌的方法，用于钼质量分数大于99.9%的半导体用钼基片镀厚钌，包括依次进行的PVD镀钌工序和电镀钌工序；所述PVD镀钌工序具体是指采用PVD设备将钌钯中金属钌溅射至钼基片表面形成预镀钌层，完成PVD镀钌工序后的钼基片放入200℃烤箱中烘烤0.5‑4h。本发明所述的镀厚钌的方法使IGBT用钼基片表面可镀厚钌，镀钌层结合力好、密度高，镀层呈金属钌的灰白色金属光泽，且镀层表面无水渍、无黑点、无裂缝。 |
