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双向气流的硅晶体生长装置

基本信息

申请号	CN200920187003.5	申请日	-
公开（公告）号	CN201485533U	公开（公告）日	2010-05-26
申请公布号	CN201485533U	申请公布日	2010-05-26
分类号	C30B15/00(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I	分类	晶体生长〔3〕;
发明人	马四海;张笑天	申请（专利权）人	芜湖昊阳光能股份有限公司
代理机构	安徽合肥华信知识产权代理有限公司	代理人	余成俊
地址	241100 安徽省芜湖县机械工业园朝阳路一号
法律状态	-

摘要

本实用新型公开了一种双向气流的硅晶体生长装置，包括有炉体，炉体内腔中置有筒形的加热器，加热器底部的两个电极分别嵌入炉体的底部，加热器内腔中设置有石墨坩埚，石墨坩埚通过穿过炉体底部的连杆支撑固定，炉体的上口搁置有可伸入到石墨坩埚内腔中的导流筒，所述的炉体顶部的侧壁上开有排气口，且底部开有氩气进口，所述的排气口与氩气进口通过加热器内壁与石墨坩埚外壁之间的空隙联通，炉体外套装有导气筒，导气筒的底部侧壁开有出气口，出气口与排气口之间通过所述的导气筒与炉体之间的空隙联通。本实用新型采用双向气流，可以降低热场内部有害气体对石墨件的腐蚀，减少了氧与石墨的接触面积及时间，使得硅液表面的氧碳化合无及有害气体在下部气体的流向带动下迅速带离热系统，有效控制了晶体中的碳含量。