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一种CZ直拉法单晶炉石墨热场结构

基本信息

申请号 CN200920172288.5 申请日 -
公开（公告）号 CN201424520Y 公开（公告）日 2010-03-17
申请公布号 CN201424520Y 申请公布日 2010-03-17
分类号 C30B15/14(2006.01)I;C30B15/16(2006.01)I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 马四海;张笑天 申请（专利权）人 芜湖昊阳光能股份有限公司
代理机构 芜湖安汇知识产权代理有限公司 代理人 芜湖升阳光电科技有限公司;芜湖昊阳光能股份有限公司
地址 241100安徽省芜湖县芜湖机械工业园朝阳路1号
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了一种CZ直拉法单晶炉石墨热场结构，所述的石墨热场结构包括热屏与气体导流装置，热屏与气体导流装置上设热屏外层(3)和热屏内层(1)，热屏外层(3)与热屏内层(1)之间设有间隙。采用上述技术方案，采用斜面反射角度，使得热辐射的反射率增加；增加了热屏中下部热屏外层与内层的间隙，得以填充石墨碳毡，增加热屏的绝热效果。由20寸传统热封闭式场维持1420°的拉制条件需要每小时耗费70～75KW·h降低至60～65KW·h，节能超过10％；填充2～3层石墨碳毡增加了隔热性能，改变了单晶生长时的晶体的纵向温度梯度，拉速增加0.05mm/min，提高了设备生产产能，降低生产成本。