单晶炉用温度过渡环
基本信息
| 申请号 | CN201220533280.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN202913083U | 公开（公告）日 | 2013-05-01 |
| 申请公布号 | CN202913083U | 申请公布日 | 2013-05-01 |
| 分类号 | C30B15/00(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 梁仁和;李宗仁;赵婷玮 | 申请（专利权）人 | 北京京仪世纪电子股份有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 100079 北京市丰台区永外宋家庄苇子坑2号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型涉及单晶炉用热系统，具体是在单晶炉热系统结构中加入了一个温度过渡环，它在整个热系统中放置于保温盖上部，厚度为10mm，温度过渡环的内径和高度在不影响硅单晶炉观察窗视线的情况下，内径越小越好，高度越高越好，但内径不能小于保温盖的内口径，高度不能高于硅单晶炉主室的上沿高度，通过加入温度过渡环，可以使处于保温盖以外的单晶棒的温度更加缓慢的下降，减小由于温度变化太大给单晶棒带来的热应力，提高单晶棒的质量和成品率。 |
