一种Fe-Cu-Nb-Ni-P-B纳米晶磁芯的制备方法

基本信息

申请号 CN201310546581.4 申请日 -
公开(公告)号 CN103680916B 公开(公告)日 2016-05-04
申请公布号 CN103680916B 申请公布日 2016-05-04
分类号 H01F41/02(2006.01)I;H01F1/147(2006.01)I;B22F1/02(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 司雪楠 申请(专利权)人 安徽省智汇电气技术有限公司
代理机构 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 代理人 安徽省智汇电气技术有限公司;青县择明朗熙电子器件有限公司
地址 241000 安徽省芜湖市弋江区高新开发区创意孵化园三楼
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种Fe-Cu-Nb-Ni-P-B纳米晶磁芯的制备方法,其具体步骤如下:将铁基非晶薄带真空等温退火制得纳米晶薄带;将制得的纳米晶薄带进行破碎,得到纳米晶金属粉末;然后将纳米晶金属粉末分成不同等份的A、B料;A料加异丙基三(二辛基焦磷酸酰氧基)钛酸酯进行处理,B料先用甘油和羊毛脂处理,再用尿素、硅灰石粉和羧甲基纤维素处理;将处理后的A料、B料混合均匀,加入阳离子型苯丙溶液,压制成型,将成型后的磁芯表面涂覆磁芯胶400-36,固化,即得成品。本发明制备出来的磁芯成品具有损耗值低、耐高温等优点,其综合性能优良。