一种提高效率的电路结构
基本信息
申请号 | CN201921601054.8 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN210579376U | 公开(公告)日 | 2020-05-19 |
申请公布号 | CN210579376U | 申请公布日 | 2020-05-19 |
分类号 | H05B45/36;H02M3/335 | 分类 | 其他类目不包含的电技术; |
发明人 | 李志科 | 申请(专利权)人 | 深圳瓦特智汇科技有限公司 |
代理机构 | 深圳叁众知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人 | 张娜 |
地址 | 510700 广东省广州市黄埔区光谱中路11号2栋2单元801、802、803房 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本实用新型公开了一种提高效率的电路结构,包括控制IC、MOS管Q1、MOS管Q2、分立谐振电感Ls、变压器漏感L、变压器T、二极管D1、二极管D2、输入电容Cin、输出电容Cout、串联谐振电容Cs、并联谐振电容Cp’1和Cp’2,所述控制IC分别与所述MOS管Q1的G极连接和所述MOS管Q2的G极连接,所述MOS管Q1的D极与所述输入电容Cin的正极连接,所述输入电容Cin的负极接地,所述MOS管Q1的S极分别与所述分立谐振电感Ls的一端和所述MOS管Q2的D极连接,所述MOS管Q2的S极接地,所述分立谐振电感Ls的另一端与所述变压器漏感L的一端连接。有益效果:有效地降低了变压器的铜损耗,提高了效率。 |
