发光二极管及制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202011460321.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112582515A | 公开（公告）日 | 2021-03-30 |
| 申请公布号 | CN112582515A | 申请公布日 | 2021-03-30 |
| 分类号 | H01L33/44(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李庆;韦冬;于波;顾杨 | 申请（专利权）人 | 苏州芯聚半导体有限公司 |
| 代理机构 | 苏州威世朋知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 常伟 |
| 地址 | 215000江苏省苏州市工业园区通园路666号B幢2楼2007 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种发光二极管及制作方法，所述制作方法包括：S1、提供衬底；S2、在所述衬底上制备发光二极管，所述发光二极管包括依序叠置在所述衬底上的外延结构、欧姆接触层和连接电极；S3、形成绝缘层于所述连接电极远离所述衬底一侧的表面上，蚀刻绝缘层形成第一开口，所述连接电极自所述第一开口中暴露出；S4、形成有机胶层于所述绝缘层远离所述衬底一侧的表面上，所述有机胶层部分接触所述衬底的表面；S5、形成吸光层于所述有机胶层远离所述衬底一侧的表面上；以及S6、照射激光至所述衬底上，以使所述有机胶层与所述衬底分离，使得所述发光二极管从所述衬底上剥离。 |
