微发光二极管晶粒的定位和去除方法及设备
基本信息
| 申请号 | CN202011450264.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112582294A | 公开（公告）日 | 2021-03-30 |
| 申请公布号 | CN112582294A | 申请公布日 | 2021-03-30 |
| 分类号 | H01L21/67(2006.01)I;H01L33/00(2010.01)I;H01L21/66(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 黄朝葵;于波;李庆;韦冬 | 申请（专利权）人 | 苏州芯聚半导体有限公司 |
| 代理机构 | 苏州威世朋知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 常伟 |
| 地址 | 215000江苏省苏州市工业园区通园路666号B幢2楼2007 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种微发光二极管晶粒定位和去除方法和设备，所述微发光二极管晶粒定位和去除方法包括：S1、获取衬底上的多个微发光二极管晶粒的测试文档，所述测试文档包括每一微发光二极管晶粒的相对坐标位置及光电性能测试结果；S2、依据所述光电性能测试结果，将每一微发光二极管晶粒标记为第一代码或者第二代码；S3、更新所述第一代码和所述第二代码至所述测试文档中；以及S4、读取更新后的所述测试文档中的所述第一代码，获得与所述第一代码对应的一个或多个微发光二极管晶粒的相对坐标位置；其中，所述第一代码和所述第二代码相异。 |
