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一种具有介电质阻止层的IGBT器件

基本信息

申请号	CN201020236755.9	申请日	-
公开（公告）号	CN201725798U	公开（公告）日	2011-01-26
申请公布号	CN201725798U	申请公布日	2011-01-26
分类号	H01L29/739(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	李伟;何文牧;沈征	申请（专利权）人	浙江华芯科技有限公司
代理机构	浙江杭州金通专利事务所有限公司	代理人	徐关寿
地址	311121 浙江省杭州市余杭区仓前镇龙泉路2号
法律状态	-

摘要

本实用新型提供一种具有介电质阻止层的IGBT器件，包括P+型掺杂体接触区、N+型掺杂源区、P型基区和N型掺杂漂移区、N型掺杂电场截止区以及P+型发射区，P+型掺杂体接触区和部分N+型掺杂源区被金属发射电极覆盖，N+型掺杂源区另一部分、P型基区及N型掺杂漂移区被栅氧化硅区覆盖，栅氧化硅区上覆盖多晶硅栅电极，P+型发射区被金属集电极覆盖，P型基区和N型掺杂漂移区之间埋设有介电质阻止层，介电质阻止层超出P型基区边缘部分的上方设有N型掺杂区。本实用新型有益效果在于：设置介电质阻止层及N型掺杂区，起到积蓄过量载流子的作用，增强过量载流子的空间分布，优化IGBT器件性能；晶格缺陷少结构简单可靠，加工成本低。