白光LED外延片及其制作工艺以及白光LED芯片的制作方法
基本信息
申请号 | CN201210015781.2 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN102593290B | 公开(公告)日 | 2014-08-13 |
申请公布号 | CN102593290B | 申请公布日 | 2014-08-13 |
分类号 | H01L33/08(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 吉爱华;张杰;边树仁;胡家祺;周升涛;吉志英 | 申请(专利权)人 | 鄂尔多斯市荣泰光电科技有限责任公司 |
代理机构 | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 | 代理人 | 鄂尔多斯市荣泰光电科技有限责任公司 |
地址 | 017000 内蒙古自治区鄂尔多斯市东胜区天骄路金辉大厦21层 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明公开一种白光LED外延片及其制作工艺以及白光LED芯片的制作方法,白光LED外延片在蓝宝石衬底上成型有GaN缓冲层,在缓冲层上依次成型有绿光N-GaN接触层、绿光InGaN/GaN多量子阱发光层、绿光P-GaN接触层、蓝绿光级联层、蓝光N-GaN接触层、蓝光InGaN/GaN多量子阱发光层、蓝光P-GaN接触层、红蓝光级联层、红光N-GaP电流扩展及欧姆接触层、红光N-AlGaInP过渡及下限制层、红光多量子阱AlGaInP发光层、红光P-AlGaInP上限制层、红光P-GaP电流扩展层、黄红光级联层、黄光N-GaP电流扩展及欧姆接触层、黄光N-AlGaInP过渡和下限制层、黄光多量子阱AlGaInP发光层、黄光P-AlGaInP上限制层及黄光P-GaP电流扩展层。本发明的外延片,摆脱了荧光粉的束缚,具有非常好的显色性。 |
