一种铁薄膜的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201010225691.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN101886243B | 公开（公告）日 | 2012-05-30 |
| 申请公布号 | CN101886243B | 申请公布日 | 2012-05-30 |
| 分类号 | C23C14/14(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 孟健;武晓杰;刘孝娟;吕敏峰;邓孝龙 | 申请（专利权）人 | 白山市天安金属镁矿业有限公司 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 魏晓波;逯长明 |
| 地址 | 130000 吉林省长春市人民大街5625号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明实施例公开了一种铁薄膜的制备方法，该制备方法以Fe2O3陶瓷靶为溅射靶，利用磁控溅射沉积设备，用Ar与H2的混合气体为溅射及还原气体，通过选择合适的H2与Ar比例、沉积温度及生长室压力，制备了铁薄膜。由于Fe2O3靶材不是铁磁性材料，因此溅射源可以采用普通的永磁型溅射源，无需采用特殊的溅射源；同时，Fe2O3比单质铁更容易获得高纯度；此外，Fe2O3靶材的生产成本较低，有利于工业化生产。实验结果表明，本发明制备的铁薄膜结晶质量高，重复性好。 |
