基于熔融离心合成多孔热电材料的方法及多孔热电材料
基本信息
| 申请号 | CN202110867832.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113314660A | 公开（公告）日 | 2021-08-27 |
| 申请公布号 | CN113314660A | 申请公布日 | 2021-08-27 |
| 分类号 | H01L35/16（2006.01）I;C01B19/02（2006.01）I;C01B19/00（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘峰铭;蔡博文 | 申请（专利权）人 | 深圳见炬科技有限公司 |
| 代理机构 | 杭州知学知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 何红信 |
| 地址 | 518000广东省深圳市前海深港合作区前湾一路1号A栋201室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本公开提供了一种基于熔融离心合成多孔热电材料的方法及多孔热电材料，旨在提供一种热电转换效率较高的热电材料。基于熔融离心合成多孔热电材料的方法，包括：将两相混合物（Bi,Sb）2Te3和Te，在490℃‑550℃条件下加热30‑40min；两相混合物（Bi,Sb）2Te3和Te中，（Bi,Sb）2Te3和Te化学计量比为1:1.25‑1:3.2；加热完毕后，以4000rpm‑4500rpm的转速离心100s‑120s。多孔热电材料由基于熔融离心合成多孔热电材料的方法制备而成。在加热过程中，两相混合物（Bi,Sb）2Te3和Te会发生富Te共晶熔化并溶解一部分（Bi,Sb）2Te3。在离心过程中，随机分布的液相共晶混合物从（Bi,Sb）2Te3固相中分离，导致（Bi,Sb）2Te3内部产生了片状结构的多孔网络，形成了高密度的微米级位错阵列，导致晶格热导率下降，同时熔融离心工艺去除了液态共晶成分，从而形成了导电良好的晶格框架。 |
