一种稀土纳米二氧化硅质子膜及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201810089699.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108281690B | 公开（公告）日 | 2020-03-13 |
| 申请公布号 | CN108281690B | 申请公布日 | 2020-03-13 |
| 分类号 | H01M8/1016;B82Y30/00 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张德胜 | 申请（专利权）人 | 温州市赢创新材料技术有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 325011 浙江省温州市龙湾区状元街道乐清路21号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种稀土纳米二氧化硅质子膜及其制备方法，它是由下述重量份的原料组成的：硫化亚锡0.1‑0.2、甲基丙烯酸三氟乙酯1‑2、聚苯醚75‑80、烷醇酰胺0.7‑1、二甲基亚砜20‑30、稀土纳米二氧化硅溶液10‑13、甲磺酸2‑3、三氧化二锑1‑2。本发明引入的稀土离子也能够更好的分散到薄膜中，实现薄膜的导电均匀性，本发明的质子膜电导率稳定，膜的强度高，综合性能优越。 |
