一种消除电镀空洞的晶圆级芯片封装结构
基本信息
| 申请号 | CN202021144752.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN212783437U | 公开（公告）日 | 2021-03-23 |
| 申请公布号 | CN212783437U | 申请公布日 | 2021-03-23 |
| 分类号 | H01L23/488(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 方梁洪;彭祎;任超;李春阳;刘凤;刘明明 | 申请（专利权）人 | 宁波芯健半导体有限公司 |
| 代理机构 | 广州三环专利商标代理有限公司 | 代理人 | 郝传鑫;贾允 |
| 地址 | 315336浙江省宁波市杭州湾新区庵东工业园区华兴地块中横路18号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种消除电镀空洞的晶圆级芯片封装结构，属于半导体封装技术领域。本实用新型的消除电镀空洞的晶圆级芯片封装结构，包括：晶圆，晶圆的表面具有焊盘；钝化层，设于晶圆有焊盘一侧的表面上方及焊盘的表面上方，钝化层与焊盘对应的位置处形成有用于暴露焊盘的开口；第一导电凸块，位于开口内，第一导电凸块用于填充开口；第二导电凸块，位于第一导电凸块的上方且与第一导电凸块电连接，第二导电凸块用于实现与外部的电连接。本实用新型通过第一导电凸块填充不规则开口，再进行电镀形成第二导电凸块，能够有效地消除在不规则开口内电镀产生的电镀空洞，解决了现有技术中电镀后凸块呈现电镀空洞的问题，提高了芯片封装产品的质量。 |
