一种铌酸锂晶圆的减薄方法
基本信息
| 申请号 | CN202010711681.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111900078A | 公开（公告）日 | 2020-11-06 |
| 申请公布号 | CN111900078A | 申请公布日 | 2020-11-06 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 何肇阳;赵亚东;罗立辉;钟志明;汪洋;陈楚杰 | 申请（专利权）人 | 宁波芯健半导体有限公司 |
| 代理机构 | 广州三环专利商标代理有限公司 | 代理人 | 宁波芯健半导体有限公司 |
| 地址 | 315336浙江省宁波市杭州湾新区庵东工业园区华兴地块中横路18号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种铌酸锂晶圆的减薄方法，属于芯片封装技术领域。本发明的铌酸锂晶圆的减薄方法，包括以下步骤：提供一铌酸锂晶圆，在铌酸锂晶圆的背面贴第一划片胶膜，并沿铌酸锂晶圆正面的切割道进行预切割至预定深度；去除第一划片胶膜，在铌酸锂晶圆的正面贴磨片胶膜，磨片胶膜为双层胶膜；对铌酸锂晶圆的背面进行研磨至晶粒分离；在铌酸锂晶圆的背面贴第二划片胶膜，再去除磨片胶膜。本发明实现了铌酸锂晶圆的研磨前切割工艺，避免了现有技术中铌酸锂晶圆在磨切加工时易出现脆性破坏、亚表面损伤层深和切割正背面崩裂大等损伤的现象，且芯片正背面崩裂均可以控制在10um以内，有利于保证铌酸锂芯片封装产品的品质。 |
