一种应用于小芯片的背面研磨优化方法及装置
基本信息
| 申请号 | CN202010559436.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111883448A | 公开（公告）日 | 2020-11-03 |
| 申请公布号 | CN111883448A | 申请公布日 | 2020-11-03 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘凤;方梁洪;任超;李春阳;刘明明;梁于壕 | 申请（专利权）人 | 宁波芯健半导体有限公司 |
| 代理机构 | 广州三环专利商标代理有限公司 | 代理人 | 宁波芯健半导体有限公司 |
| 地址 | 315336浙江省宁波市杭州湾新区庵东工业园区华兴地块中横路18号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种应用于小芯片的背面研磨优化方法及装置，所述方法包括：提供多组测试晶圆；在正面进行预切割操作，并贴上研磨保护膜，依次对测试晶圆的背面进行研磨处理，获取第一状态信息；其中晶粒第一状态信息最好的测试晶圆所对应的研磨保护膜为预设研磨保护膜；再次提供多组测试晶圆，对测试晶圆正面进行预切割操作，并贴上预设研磨保护膜；获取多组研磨参数，并对测试晶圆分别进行研磨，获取第二状态信息；其中晶粒第二状态信息最好的测试晶圆所所对应的研磨参数为预设研磨参数，通过对研磨保护膜和研磨参数的合理选择，能减少在背部研磨过程中出现飞晶、裂晶等情况，提高背部研磨的质量，保护了研磨机。 |
