垂直型金氧半场效晶体管器件
基本信息
| 申请号 | CN202022576105.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN213583799U | 公开（公告）日 | 2021-06-29 |
| 申请公布号 | CN213583799U | 申请公布日 | 2021-06-29 |
| 分类号 | H01L29/06（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 黄彦智;俞仲威 | 申请（专利权）人 | 开泰半导体（深圳）有限公司 |
| 代理机构 | 苏州创元专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 王健 |
| 地址 | 518000广东省深圳市坪山区坪山街道六联社区坪山大道2007号创新广场B1404 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开一种垂直型金氧半场效晶体管器件，包括：P型基体层、轻掺杂N型漂移层、重掺杂N型衬底层，位于P型基体层中的沟槽从P型基体层上表面延伸至轻掺杂N型漂移层内，此沟槽内具有一栅极多晶硅部；位于所述P型基体层上部且在沟槽周边具有一重掺杂N型源极区，一漏极金属层位于重掺杂N型衬底层与轻掺杂N型漂移层相背的表面，所述重掺杂N型源极区上表面开有一凹槽，一绝缘介质层覆盖所述沟槽和栅极多晶硅部上表面并延伸覆盖凹槽一部分，一源极金属层覆盖于和重掺杂P型植入区上表面并延伸覆盖重掺杂N型源极区的凹槽剩余部分。本实用新型提高了重掺杂N型源极区与源极金属层、绝缘介质层的结合力，并降低了欧姆接触电阻。 |
