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深沟槽功率MOS半导体器件

基本信息

申请号	CN202022576642.X	申请日	-
公开（公告）号	CN213583800U	公开（公告）日	2021-06-29
申请公布号	CN213583800U	申请公布日	2021-06-29
分类号	H01L29/06（2006.01）I;H01L21/762（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L27/088（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	黄彦智;俞仲威	申请（专利权）人	开泰半导体（深圳）有限公司
代理机构	苏州创元专利商标事务所有限公司	代理人	王健
地址	518000广东省深圳市坪山区坪山街道六联社区坪山大道2007号创新广场B1404
法律状态	-

摘要

本实用新型公开一种深沟槽功率MOS半导体器件，所述MOS器件包括至少2个MOS器件单胞，所述MOS器件单胞进一步包括：位于N型硅片本体上部的P型基体层、位于N型硅片本体中部的轻掺杂N型漂移层、位于N型硅片本体下部的重掺杂N型衬底层；重掺杂N型源极区上表面开有一凹槽，一绝缘介质层覆盖所述沟槽和栅极多晶硅部上表面并延伸覆盖凹槽一部分，一源极金属层覆盖于重掺杂N型源极区上表面并延伸覆盖重掺杂N型源极区的凹槽剩余部分；相邻所述MOS器件单胞之间的P型基体层内具有一深凹槽，此深凹槽的下端延伸至轻掺杂N型漂移层的中部。本实用新型深沟槽功率MOS半导体器件提高了重掺杂N型源极区与源极金属层、绝缘介质层的结合力，并能承受更高电压，避免在高压时被击穿。