大电流绝缘栅双极型晶体管器件
基本信息
| 申请号 | CN202022413927.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN214254425U | 公开（公告）日 | 2021-09-21 |
| 申请公布号 | CN214254425U | 申请公布日 | 2021-09-21 |
| 分类号 | H01L29/06（2006.01）I;H01L29/739（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 郭家铭;俞仲威;黄国伦;张朝宗 | 申请（专利权）人 | 开泰半导体（深圳）有限公司 |
| 代理机构 | 苏州创元专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 王健 |
| 地址 | 518000广东省深圳市坪山区坪山街道六联社区坪山大道2007号创新广场B1404 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开一种大电流绝缘栅双极型晶体管器件，包括：轻掺杂N型缓冲层和位于轻掺杂N型硅片本体下部的重掺杂P型集电区层；位于P型掺杂阱层中且间隔设置的第一沟槽、第二沟槽延伸至轻掺杂N型漂移层内，所述第一沟槽、第二沟槽内分别具有第一栅极部、第二栅极部；位于第一沟槽、第二沟槽之间且在P型掺杂阱层上部沿水平方向设置有重掺杂P型源极区、重掺杂N型源极区，所述重掺杂P型源极区位于第二沟槽的周边，所述重掺杂N型源极区位于第一沟槽的周边；一第一栅电极层、第二栅电极层分别位于第一栅极部、第二栅极部上表面。本实用新型晶体管器件使器件能快速关断，从而降低了晶体管器件的损耗。 |
