高可靠性沟槽功率MOS晶体管
基本信息
| 申请号 | CN202022576714.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN213583802U | 公开（公告）日 | 2021-06-29 |
| 申请公布号 | CN213583802U | 申请公布日 | 2021-06-29 |
| 分类号 | H01L29/06（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 黄彦智;俞仲威 | 申请（专利权）人 | 开泰半导体（深圳）有限公司 |
| 代理机构 | 苏州创元专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 王健 |
| 地址 | 518000广东省深圳市坪山区坪山街道六联社区坪山大道2007号创新广场B1404 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开一种高可靠性沟槽功率MOS晶体管，包括：P型基体层、轻掺杂N型漂移层、重掺杂N型衬底层，位于所述P型基体层上部且在沟槽周边具有一重掺杂N型源极区，一重掺杂P型植入区位于重掺杂N型源极区外侧周边并在竖直方向延伸至重掺杂N型源极区下方，所述重掺杂P型植入区在水平且朝向沟槽方向延伸至重掺杂N型源极区正下方；所述重掺杂N型源极区上表面开有一凹槽，一绝缘介质层覆盖所述沟槽和栅极多晶硅部上表面并延伸覆盖凹槽一部分，一源极金属层覆盖于和重掺杂P型植入区上表面并延伸覆盖凹槽剩余部分。本实用新型高可靠性沟槽功率MOS晶体管在处于反偏压时，避免器件过早发生崩溃现象且降低了欧姆接触电阻。 |
