双闸极沟槽式绝缘闸双极性晶体管器件
基本信息
| 申请号 | CN202011162518.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114497171A | 公开（公告）日 | 2022-05-13 |
| 申请公布号 | CN114497171A | 申请公布日 | 2022-05-13 |
| 分类号 | H01L29/06（2006.01）I;H01L29/739（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 郭家铭;俞仲威;黄国伦;张朝宗 | 申请（专利权）人 | 开泰半导体（深圳）有限公司 |
| 代理机构 | 苏州创元专利商标事务所有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 518000广东省深圳市坪山区坪山街道六联社区坪山大道2007号创新广场B1404 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开一种双闸极沟槽式绝缘闸双极性晶体管器件，其位于P型掺杂阱层中且间隔设置的第一沟槽、第二沟槽延伸至轻掺杂N型漂移层内，位于第一沟槽、第二沟槽之间且在P型掺杂阱层上部沿水平方向设置有依次连接的重掺杂P型源极区、重掺杂N型源极区，所述重掺杂P型源极区位于第二沟槽的周边；P型掺杂阱层中部和上部分别设置有N型掺杂阱层、P型掺杂基区层，重掺杂P型源极区、重掺杂N型源极区均位于P型掺杂基区层的上部。本发明晶体管器件具有很低的VCE饱和电压，降低了功率效能的损失，在器件导通状态下，实现了非常低的导通电压和更快开启，在器件断开状态下，使器件能更快速关断。 |
