耐压功率MOSFET器件
基本信息
| 申请号 | CN202022576884.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN213583803U | 公开（公告）日 | 2021-06-29 |
| 申请公布号 | CN213583803U | 申请公布日 | 2021-06-29 |
| 分类号 | H01L29/06（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L27/088（2006.01）I;H01L21/762（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 黄彦智;俞仲威 | 申请（专利权）人 | 开泰半导体（深圳）有限公司 |
| 代理机构 | 苏州创元专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 王健 |
| 地址 | 518000广东省深圳市坪山区坪山街道六联社区坪山大道2007号创新广场B1404 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开一种耐压功率MOSFET器件，所述MOS器件包括至少2个MOS器件单胞，所述MOS器件单胞进一步包括：P型基体层、轻掺杂N型漂移层、重掺杂N型衬底层，位于所述P型基体层上部且在沟槽周边具有一重掺杂N型源极区，一重掺杂P型植入区位于重掺杂N型源极区外侧周边并在竖直方向延伸至重掺杂N型源极区下方；相邻所述MOS器件单胞之间的P型基体层内具有一深凹槽，此深凹槽的下端延伸至轻掺杂N型漂移层的中部，此深凹槽内填充有一绝缘二氧化硅部，此深凹槽上表面覆盖有一第二绝缘介质层。本实用新型高强健性功率有助于让漏电流远离通道区，且隔离区域能承受更高电压，避免在高压时被击穿。 |
