低功耗功率MOS场效应管
基本信息
| 申请号 | CN202022570687.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN213988890U | 公开（公告）日 | 2021-08-17 |
| 申请公布号 | CN213988890U | 申请公布日 | 2021-08-17 |
| 分类号 | H01L29/06（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 黄彦智;俞仲威 | 申请（专利权）人 | 开泰半导体（深圳）有限公司 |
| 代理机构 | 苏州创元专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 王健 |
| 地址 | 518000广东省深圳市坪山区坪山街道六联社区坪山大道2007号创新广场B1404 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开一种低功耗功率MOS场效应管，包括：P型基体层、轻掺杂N型漂移层、重掺杂N型衬底层，重掺杂N型源极区上表面开有一凹槽，一绝缘介质层覆盖所述沟槽和栅极多晶硅部上表面并延伸覆盖凹槽一部分，一源极金属层覆盖于重掺杂N型源极区上表面并延伸覆盖重掺杂N型源极区的凹槽剩余部分；沟槽内间隔设置有第一栅极多晶硅部、第二栅极多晶硅部，此第一栅极多晶硅部位于第二栅极多晶硅部正上方，所述第一栅极多晶硅部、第二栅极多晶硅部与沟槽之间设置有第一栅极氧化隔离层。本实用新型低功耗功率MOS场效应管提高了重掺杂N型源极区与源极金属层、绝缘介质层的结合力，并改善了MOS器件开关损耗。 |
