半导体器件内部焊点表面异物层的解析方法及系统
基本信息
| 申请号 | CN201910294488.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109994397B | 公开（公告）日 | 2021-07-09 |
| 申请公布号 | CN109994397B | 申请公布日 | 2021-07-09 |
| 分类号 | H01L21/66;H01L21/02;G01N23/00 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李文婷;毛飞燕 | 申请（专利权）人 | 英特尔产品（成都）有限公司 |
| 代理机构 | 北京永新同创知识产权代理有限公司 | 代理人 | 林锦辉 |
| 地址 | 611731 四川省成都市高新技术开发区西区科新路8-1号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于半导体器件内部焊点表面处理技术领域，公开了一种半导体器件内部焊点表面异物层的解析方法及系统，首先使用物理研磨除去晶圆焊点表面异物层上的基底材料和/或封装填充物；然后使用聚焦离子束对经过研磨的晶圆表面进行清洗，直至晶圆的研磨表面露出异物层；继续使用聚焦离子束对异物层进行清洗，直至异物层纵向和横向均露出端面；并且上述清洗过程中，保持聚焦离子束与晶圆的表面直接形成一个小于15°的夹角；使用材料分析仪对清洗后露出纵向和横向端面的异物层进行分析。 |
