一种二氧化锗粉体的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202010312772.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111484069A | 公开（公告）日 | 2020-08-04 |
| 申请公布号 | CN111484069A | 申请公布日 | 2020-08-04 |
| 分类号 | C01G17/02(2006.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 谈发堂;马伟涛 | 申请（专利权）人 | 湖北拓材再生资源有限公司 |
| 代理机构 | 西安铭泽知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 湖北联合贵稀资源再生科技有限公司 |
| 地址 | 433225湖北省武汉市经济技术开发区新滩新区荆汉大道10号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种二氧化锗粉体的制备方法，涉及半导体氧化物制备技术领域。具体包括：将四氯化锗液体均匀地加入温度为0～10℃的高纯水或二次蒸馏水中，搅拌水解反应成悬浊液后，进行固液分离，得到二氧化锗滤饼和含锗母液，再将二氧化锗滤饼干燥、粉碎，得二氧化锗粉体；二氧化锗干燥过程中产生的含锗酸性气体进行二级冷凝回收，酸性含锗废液返回锗提取生产，四氯化锗返回水解生产二氧化锗。本发明摒弃传统四氯化锗水解、多次洗涤、干燥工艺，大大减少了二氧化锗滤饼的洗涤用水，减少了含锗母液的量；且将产生的含锗酸性气体进行分级冷凝回收，减小水解、洗涤、干燥生产二氧化锗过程中因四氯化锗挥发造成锗的损失。 |
