一种半导体板件沟槽刻蚀方法

基本信息

申请号 CN202110821564.1 申请日 -
公开(公告)号 CN113539815A 公开(公告)日 2021-10-22
申请公布号 CN113539815A 申请公布日 2021-10-22
分类号 H01L21/306(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;G03F7/16(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 周海生;蒋振荣 申请(专利权)人 安徽富信半导体科技有限公司
代理机构 合肥正则元起专利代理事务所(普通合伙) 代理人 匡立岭
地址 243000安徽省马鞍山市郑蒲港新区金蒲电子信息产业园1#东侧
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开一种半导体板件沟槽刻蚀方法,涉及半导体加工技术领域,包括步骤一:将光刻胶覆盖在非刻蚀区域的表面,得到加工板件;步骤二:将加工板件安装至刻蚀装置中的板件卡盘,并将其下降至刻蚀槽中进行刻蚀加工;步骤三:刻蚀加工后得到刻蚀板件,将其移动至清洗槽中,进行清洁加工;步骤四:清洗加工完成后,得到成品板件,再将成品板件的表面进行清洁,并晾干。本发明通过刻蚀工艺对半导体板件的沟槽进行加工,可以提高板件沟槽的加工质量,并且本案在板件的非刻蚀区域采用粘合剂与光刻胶进行连接,从而可以光刻胶与板件的粘合质量,通过在板件不同的区域分界线设置较细的光刻胶线体,可以提高沟槽刻蚀的精细度。