半导体器件的封装方法
基本信息
| 申请号 | CN202110000675.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112331572B | 公开（公告）日 | 2021-04-02 |
| 申请公布号 | CN112331572B | 申请公布日 | 2021-04-02 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈家洛;陆翼森;于学成;赵卫东;杨国文;张艳春 | 申请（专利权）人 | 度亘光电科技（南通）有限公司 |
| 代理机构 | 北京超凡宏宇专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 孙海杰 |
| 地址 | 215000江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢215、217室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体器件的封装方法，涉及半导体技术领域，包括以下步骤：提供第一器件、第二器件、缓冲层、第一焊料层和第二焊料层；第二焊料层的熔点低于第一焊料层的熔点，第一焊料层的熔点低于缓冲层的熔点；其中，第一器件和第二器件中的一个为热沉结构，另一个为巴条结构，首先在温度较高的第一温度范围内用第一焊料层将第一器件与缓冲层焊接先释放了一部分应力，然后在温度较低的第二温度范围内用第二焊料层再将第二器件与缓冲层焊接，以使第一器件和第二器件之间具有更小的焊接应力，避免热沉结构和巴条结构的分离或者翘曲，同时，设置在热沉结构和巴条结构之间的缓冲层还能够进一步起到缓冲热沉结构与巴条结构之间应力的作用。 |
