一种磁场屏蔽片及其制备方法和应用
基本信息
| 申请号 | CN202110657511.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113388721A | 公开（公告）日 | 2021-09-14 |
| 申请公布号 | CN113388721A | 申请公布日 | 2021-09-14 |
| 分类号 | C21D1/74（2006.01）I;C21D6/00（2006.01）I;C21D9/52（2006.01）I;B22F9/04（2006.01）I;C22C38/02（2006.01）I;C22C38/12（2006.01）I;C22C38/16（2006.01）I;C23C8/10（2006.01）I;H05K9/00（2006.01）I | 分类 | 铁的冶金; |
| 发明人 | 张华;王湘粤;曾志超;李准;马春博;李豪滨 | 申请（专利权）人 | 深圳市驭能科技有限公司 |
| 代理机构 | 广州市科丰知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 罗啸秋 |
| 地址 | 518122广东省深圳市坪山区龙田街道办事处竹坑社区兰竹东路同力兴工业园办公楼（多彩科技）六层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于无线充电技术领域，公开了一种磁场屏蔽片及其制备方法和应用。所述制备方法包括如下制备步骤：（1）将纳米晶带材在惰性气氛下进行热处理；（2）对步骤（1）热处理后的纳米晶带材进行碎磁处理；（3）对步骤（2）碎磁处理后的纳米晶带材进行气氛氧化处理，所述气氛氧化处理采用40～120℃及80％～95％湿度条件下的湿热空气气氛熟化处理，得到所述磁场屏蔽片。本发明方法采用40～120℃及80％～95％湿度条件下的湿热空气气氛熟化处理的气氛氧化工艺，可优先在碎化后的纳米晶带材缝隙生成氧化绝缘层，在提升电阻降低涡流损耗的同时，显著改善氧化处理后磁场屏蔽片的均匀性及稳定性。 |
