一种无线充电及近场通讯用纳米晶导磁薄片及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202011554030.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112712957B | 公开（公告）日 | 2021-08-17 |
| 申请公布号 | CN112712957B | 申请公布日 | 2021-08-17 |
| 分类号 | H01F1/153;H01Q1/52;H05K9/00;H02J7/00;H02J50/10 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王湘粤;曾志超;张华;马春博 | 申请（专利权）人 | 深圳市驭能科技有限公司 |
| 代理机构 | 广州市科丰知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 罗啸秋 |
| 地址 | 518122 广东省深圳市坪山区龙田街道办事处竹坑社区兰竹东路同力兴工业园办公楼（多彩科技）六层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于磁性材料技术领域，公开了一种无线充电及近场通讯用纳米晶导磁薄片及其制备方法。对纳米晶带材进行热处理后覆保护膜，然后进行纵向辊剪处理，得到具有均匀纵向条状纹路割裂的纳米晶导磁薄片；对获得的纳米晶导磁薄片标记出中心区域和外围屏蔽区域，然后对外围屏蔽区域进行二次模压破碎以获得低于中心区域导磁薄片的磁导率，得到所述无线充电及近场通讯用纳米晶导磁薄片。本发明实现了在同一纳米晶导磁薄片上获得两种不同磁导率性能，中心区域为高磁导率区实现无线充电功能，外围屏蔽区域为低磁导率区实现近场通讯功能。采用一种磁屏蔽材料来实现无线充电和近场通讯功能最优化解决方案。 |
