一种纳米晶导磁薄片碎磁保护结构及多层纳米晶导磁薄片
基本信息
| 申请号 | CN202023199350.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN213752192U | 公开（公告）日 | 2021-07-20 |
| 申请公布号 | CN213752192U | 申请公布日 | 2021-07-20 |
| 分类号 | H01F1/153（2006.01）I;H01F1/16（2006.01）I;H05K9/00（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王湘粤;曾志超;张华;马春博 | 申请（专利权）人 | 深圳市驭能科技有限公司 |
| 代理机构 | 广州市科丰知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 罗啸秋 |
| 地址 | 518122广东省深圳市坪山区龙田街道办事处竹坑社区兰竹东路同力兴工业园办公楼（多彩科技）六层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型属于磁性材料及装置领域，公开了一种纳米晶导磁薄片碎磁保护结构及多层纳米晶导磁薄片。所述碎磁保护结构包括碎磁前的单层纳米晶导磁薄片，单层纳米晶导磁薄片的一面粘附双面胶，另一面粘附双面胶或单面胶。所述多层纳米晶导磁薄片包括多层碎磁后的纳米晶导磁薄片，相邻两层碎磁后的纳米晶导磁薄片通过两层双面胶粘贴覆合，或通过一层双面胶和一层单面胶粘贴覆合。本实用新型的保护结构在后续的碎磁处理过程及多层贴合过程中，纳米晶导磁薄片两面均有胶膜防护，一方面碎屑不易剥离，另一方面也不易产生凸起，极大的保证了产品的外观良率和性能良率。 |
