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一种集成SBR的SGTMOSFET的器件结构及其制作方法

基本信息

申请号	CN202210063150.1	申请日	-
公开（公告）号	CN114093931B	公开（公告）日	2022-04-26
申请公布号	CN114093931B	申请公布日	2022-04-26
分类号	H01L29/06（2006.01）I;H01L27/07（2006.01）I;H01L21/8249（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	张楠;黄健;孙闫涛;顾昀浦;宋跃桦;刘静;吴平丽	申请（专利权）人	捷捷微电（上海）科技有限公司
代理机构	广州京诺知识产权代理有限公司	代理人	于睿虬
地址	201306上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区临港新片区南汇新城镇海洋一路333号1号楼、2号楼
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种集成SBR的SGT MOSFET的器件结构及其制作方法，包括衬底及外延层，外延层上设置有若干SGT沟槽及至少一个SBR沟槽；SGT沟槽包括由下至上依次设置的第一氧化层、第一多晶硅、极间氧化层、第二氧化层和第二多晶硅；SBR沟槽包括由下至上依次设置的第一氧化层、第一多晶硅、极间氧化层、第二氧化层和第二多晶硅；SGT沟槽之间的外延层设置有阱区，阱区内设置有源区以及体接触区。本发明的制作过程中，SBR沟槽被极间氧化层保护起来，SBR沟槽不会被破坏；SBR沟槽的第二氧化层一次成型，实现最佳形貌和mesa宽度，Vf性能好；SBR沟槽不需要牺牲氧化过程，成本降低；本发明的器件结构没有源区注入区域的电阻，并且可以通过刻蚀减小沟道长度，优化了Vf。