一种集成SBR的SGTMOSFET的器件结构及其制作方法
基本信息
申请号 | CN202210063150.1 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN114093931B | 公开(公告)日 | 2022-04-26 |
申请公布号 | CN114093931B | 申请公布日 | 2022-04-26 |
分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L27/07(2006.01)I;H01L21/8249(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 张楠;黄健;孙闫涛;顾昀浦;宋跃桦;刘静;吴平丽 | 申请(专利权)人 | 捷捷微电(上海)科技有限公司 |
代理机构 | 广州京诺知识产权代理有限公司 | 代理人 | 于睿虬 |
地址 | 201306上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区南汇新城镇海洋一路333号1号楼、2号楼 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明公开了一种集成SBR的SGT MOSFET的器件结构及其制作方法,包括衬底及外延层,外延层上设置有若干SGT沟槽及至少一个SBR沟槽;SGT沟槽包括由下至上依次设置的第一氧化层、第一多晶硅、极间氧化层、第二氧化层和第二多晶硅;SBR沟槽包括由下至上依次设置的第一氧化层、第一多晶硅、极间氧化层、第二氧化层和第二多晶硅;SGT沟槽之间的外延层设置有阱区,阱区内设置有源区以及体接触区。本发明的制作过程中,SBR沟槽被极间氧化层保护起来,SBR沟槽不会被破坏;SBR沟槽的第二氧化层一次成型,实现最佳形貌和mesa宽度,Vf性能好;SBR沟槽不需要牺牲氧化过程,成本降低;本发明的器件结构没有源区注入区域的电阻,并且可以通过刻蚀减小沟道长度,优化了Vf。 |
