一种分离栅MOSFET的制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202111304887.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114038747A | 公开（公告）日 | 2022-02-11 |
| 申请公布号 | CN114038747A | 申请公布日 | 2022-02-11 |
| 分类号 | H01L21/28（2006.01）I;H01L21/67（2006.01）I;C09K13/04（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 顾昀浦;黄健;孙闫涛;张楠;宋跃桦;刘静;吴平丽 | 申请（专利权）人 | 捷捷微电（上海）科技有限公司 |
| 代理机构 | 广州京诺知识产权代理有限公司 | 代理人 | 于睿虬 |
| 地址 | 201306上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区临港新片区南汇新城镇海洋一路333号1号楼、2号楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种分离栅MOSFET的制作方法，包括步骤：以缓冲刻蚀液作为腐蚀液，以湿法腐蚀方式去除所述腐蚀缓冲材料；所述缓冲刻蚀液腐蚀所述腐蚀缓冲材料的速率，高于所述缓冲刻蚀液腐蚀所述第一电介质材料的速率，所述缓冲刻蚀液为热磷酸溶液，所述热磷酸溶液以体积比表示的浓度为1:30～1:90。本发明采用热磷酸溶液作为缓冲刻蚀液，能够通过控制热磷酸溶液的浓度和温度，来控制刻蚀速度，以实现对侧氧的斜坡状形貌的精准控制；热磷酸溶液在刻蚀含硅的材料时，相对于含氟化合物来说，刻蚀过程更可控，能够精准控制侧氧的倾角、上沿及下沿的厚度等。 |
