一种平面型VDMOS器件双栅极结构的制作方法

基本信息

申请号 CN202210051895.6 申请日 -
公开(公告)号 CN114373676A 公开(公告)日 2022-04-19
申请公布号 CN114373676A 申请公布日 2022-04-19
分类号 H01L21/28(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 顾昀浦;黄健;孙闫涛;张楠;宋跃桦;刘静;吴平丽 申请(专利权)人 捷捷微电(上海)科技有限公司
代理机构 广州京诺知识产权代理有限公司 代理人 于睿虬
地址 201306上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区南汇新城镇海洋一路333号1号楼、2号楼
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种平面型VDMOS器件双栅极结构的制作方法,在外延层表面形成ONO结构;在第二氧化层上方设置第一掩膜,第一掩膜的设置位置与双栅极的位置相匹配;在第一掩膜下方留有的第二氧化层为双栅极间隔氧化层;在第二氧化层和双栅极间隔氧化层上方淀积多晶硅;回刻多晶硅,使双栅极间隔氧化层的表面外露,在双栅极间隔氧化层的两侧留有多晶硅侧墙,多晶硅侧墙为平面型VDMOS器件的双栅极结构。本发明的双栅极间隔氧化层在双栅极结构形成之前,先填充了双栅极之间的间隔区域,能够精确控制双栅极结构的位置,还能够实现体区注入成型的自对准,节省了工艺步骤,节约了成本。