一种平面型VDMOS器件双栅极结构的制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202210051895.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114373676A | 公开（公告）日 | 2022-04-19 |
| 申请公布号 | CN114373676A | 申请公布日 | 2022-04-19 |
| 分类号 | H01L21/28（2006.01）I;H01L21/331（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 顾昀浦;黄健;孙闫涛;张楠;宋跃桦;刘静;吴平丽 | 申请（专利权）人 | 捷捷微电（上海）科技有限公司 |
| 代理机构 | 广州京诺知识产权代理有限公司 | 代理人 | 于睿虬 |
| 地址 | 201306上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区临港新片区南汇新城镇海洋一路333号1号楼、2号楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种平面型VDMOS器件双栅极结构的制作方法，在外延层表面形成ONO结构；在第二氧化层上方设置第一掩膜，第一掩膜的设置位置与双栅极的位置相匹配；在第一掩膜下方留有的第二氧化层为双栅极间隔氧化层；在第二氧化层和双栅极间隔氧化层上方淀积多晶硅；回刻多晶硅，使双栅极间隔氧化层的表面外露，在双栅极间隔氧化层的两侧留有多晶硅侧墙，多晶硅侧墙为平面型VDMOS器件的双栅极结构。本发明的双栅极间隔氧化层在双栅极结构形成之前，先填充了双栅极之间的间隔区域，能够精确控制双栅极结构的位置，还能够实现体区注入成型的自对准，节省了工艺步骤，节约了成本。 |
