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一种集成SBR的SGTMOSFET的制作方法

基本信息

申请号	CN202210063171.3	申请日	-
公开（公告）号	CN114400206A	公开（公告）日	2022-04-26
申请公布号	CN114400206A	申请公布日	2022-04-26
分类号	H01L21/8249（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L27/07（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	张楠;黄健;孙闫涛;顾昀浦;宋跃桦;刘静;吴平丽	申请（专利权）人	捷捷微电（上海）科技有限公司
代理机构	广州京诺知识产权代理有限公司	代理人	于睿虬
地址	201306上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区临港新片区南汇新城镇海洋一路333号1号楼、2号楼
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种集成SBR的SGT MOSFET的制作方法，在外延层上形成SGT沟槽及SBR沟槽；形成ONO结构；形成第一多晶硅；形成极间氧化层；去除位于极间氧化层上方的第二氧化层；去除SBR沟槽内的极间氧化层上方的氮化物层；在沟槽内，形成第二多晶硅。本发明不需要单独制作SBR沟槽内的器件结构和SGT沟槽内的器件结构，能够一次成型SBR沟槽和SGT沟槽内的器件结构，大大简化了制作过程，节约了成本；本发明以第一氧化层和氮化物层作为SGT沟槽的栅氧，以第一氧化层作为SBR沟槽的栅氧，而位于SBR沟槽内的氮化物层又起到了保护SBR沟槽侧壁的作用，使得SBR沟槽不需要进行SAC等对准工艺，以实现SBR沟槽的CD小、mesa区域大，RDSON和VF性能好。