一种半导体功率器件结构及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202111513373.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113921614A | 公开（公告）日 | 2022-01-11 |
| 申请公布号 | CN113921614A | 申请公布日 | 2022-01-11 |
| 分类号 | H01L29/78（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I;H01L21/265（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张楠;黄健;孙闫涛;顾昀浦;宋跃桦;刘静;吴平丽 | 申请（专利权）人 | 捷捷微电（上海）科技有限公司 |
| 代理机构 | 广州京诺知识产权代理有限公司 | 代理人 | 于睿虬 |
| 地址 | 201306上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区临港新片区南汇新城镇海洋一路333号1号楼、2号楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体功率器件结构及其制造方法，包括衬底、外延层及若干沟槽，在沟槽内，栅极多晶硅的上端还设置有绝缘层；沟槽的外壁处设置有第二导电类型的体区，体区的表面设置有第一导电类型的源极区，以及第二导电类型的体接触区；在外延层的表面还覆盖有一阻挡层，在阻挡层的表面设置有金属层，相邻两个沟槽的体区之间形成寄生肖特基区域。本发明的寄生肖特基在每个器件元胞单元内，不需要额外增加器件的面积，能够使得VFSD更低，改善反向恢复的Trr，在电压反偏时，体区与外延层横向耗尽，形成空间电荷会将寄生肖特基表面保护起来，从而提高耐压、降低肖特漏电。 |
