一种半导体功率器件结构及其制造方法
基本信息
申请号 | CN202111513373.5 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN113921614A | 公开(公告)日 | 2022-01-11 |
申请公布号 | CN113921614A | 申请公布日 | 2022-01-11 |
分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 张楠;黄健;孙闫涛;顾昀浦;宋跃桦;刘静;吴平丽 | 申请(专利权)人 | 捷捷微电(上海)科技有限公司 |
代理机构 | 广州京诺知识产权代理有限公司 | 代理人 | 于睿虬 |
地址 | 201306上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区南汇新城镇海洋一路333号1号楼、2号楼 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明公开了一种半导体功率器件结构及其制造方法,包括衬底、外延层及若干沟槽,在沟槽内,栅极多晶硅的上端还设置有绝缘层;沟槽的外壁处设置有第二导电类型的体区,体区的表面设置有第一导电类型的源极区,以及第二导电类型的体接触区;在外延层的表面还覆盖有一阻挡层,在阻挡层的表面设置有金属层,相邻两个沟槽的体区之间形成寄生肖特基区域。本发明的寄生肖特基在每个器件元胞单元内,不需要额外增加器件的面积,能够使得VFSD更低,改善反向恢复的Trr,在电压反偏时,体区与外延层横向耗尽,形成空间电荷会将寄生肖特基表面保护起来,从而提高耐压、降低肖特漏电。 |
