一种半导体功率器件结构及其制造方法

基本信息

申请号 CN202111513373.5 申请日 -
公开(公告)号 CN113921614A 公开(公告)日 2022-01-11
申请公布号 CN113921614A 申请公布日 2022-01-11
分类号 H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 张楠;黄健;孙闫涛;顾昀浦;宋跃桦;刘静;吴平丽 申请(专利权)人 捷捷微电(上海)科技有限公司
代理机构 广州京诺知识产权代理有限公司 代理人 于睿虬
地址 201306上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区南汇新城镇海洋一路333号1号楼、2号楼
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种半导体功率器件结构及其制造方法,包括衬底、外延层及若干沟槽,在沟槽内,栅极多晶硅的上端还设置有绝缘层;沟槽的外壁处设置有第二导电类型的体区,体区的表面设置有第一导电类型的源极区,以及第二导电类型的体接触区;在外延层的表面还覆盖有一阻挡层,在阻挡层的表面设置有金属层,相邻两个沟槽的体区之间形成寄生肖特基区域。本发明的寄生肖特基在每个器件元胞单元内,不需要额外增加器件的面积,能够使得VFSD更低,改善反向恢复的Trr,在电压反偏时,体区与外延层横向耗尽,形成空间电荷会将寄生肖特基表面保护起来,从而提高耐压、降低肖特漏电。