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一种源栅间接电连接的先进二极管封装结构

基本信息

申请号 CN202110177369.X 申请日 -
公开（公告）号 CN112992834B 公开（公告）日 2022-02-18
申请公布号 CN112992834B 申请公布日 2022-02-18
分类号 H01L23/488（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 刘静;黄健;孙闫涛;顾昀浦;宋跃桦;吴平丽;张楠 申请（专利权）人 捷捷微电（上海）科技有限公司
代理机构 广州京诺知识产权代理有限公司 代理人 于睿虬
地址 200120上海市浦东新区南汇新城镇海洋一路333号1号楼、2号楼
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种源栅间接电连接的先进二极管封装结构，包括半导体器件芯片、阴极金属片、阳极金属片、塑封体；半导体器件芯片的第一表面设置有源极焊盘和栅极焊盘；半导体器件芯片的第二表面设置有漏极焊盘；半导体器件芯片的源极和栅极未直接短接；当所述源极焊盘和栅极焊盘直接短接时，半导体器件芯片为一MOS型先进二极管；源极焊盘、栅极焊盘分别通过电连接件与阳极金属片键合。本发明利用封装电连接电阻，在先进二极管正向工作时，在源极和栅极之间引入一个额外的压降，促进沟道开启，从而在维持漏电流IR不变或者更低的情况下降低了器件的正向导通电压VF，提升了先进二极管的性能；不增加器件复杂程度，具有广泛的适用性。