一种半导体功率器件结构
基本信息
| 申请号 | CN202220118621.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN216563140U | 公开（公告）日 | 2022-05-17 |
| 申请公布号 | CN216563140U | 申请公布日 | 2022-05-17 |
| 分类号 | H01L29/06（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘静;黄健;孙闫涛;顾昀浦;宋跃桦;吴平丽;张楠 | 申请（专利权）人 | 捷捷微电（上海）科技有限公司 |
| 代理机构 | 广州京诺知识产权代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 201306上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区临港新片区南汇新城镇海洋一路333号1号楼、2号楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种半导体功率器件结构，包括有源区、第一柱区和第二柱区，所述第一柱区有部分区域在所述有源区的范围内，所述第二柱区完全在所述有源区的范围外，在第一方向上，所述第一柱区和第二柱区均匀分布；在与所述第一方向垂直的第二方向上，所述第一柱区和第二柱区的两端齐平，且所述第一柱区的两端与所述有源区边缘的最短距离相同；在所述第一柱区和第二柱区的两端分别设置有一第三柱区，所述第一柱区、第二柱区和第三柱区均电性连接。本实用新型通过在第一柱区和第二柱区的两端分别设置第三柱区，实现了第一柱区、第二柱区和第三柱区的电性连接，可以缓解边缘的第二柱区最尾部的场强，提高器件的可靠性。 |
