一种半导体功率器件结构

基本信息

申请号 CN202220118621.X 申请日 -
公开(公告)号 CN216563140U 公开(公告)日 2022-05-17
申请公布号 CN216563140U 申请公布日 2022-05-17
分类号 H01L29/06(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 刘静;黄健;孙闫涛;顾昀浦;宋跃桦;吴平丽;张楠 申请(专利权)人 捷捷微电(上海)科技有限公司
代理机构 广州京诺知识产权代理有限公司 代理人 -
地址 201306上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区南汇新城镇海洋一路333号1号楼、2号楼
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了一种半导体功率器件结构,包括有源区、第一柱区和第二柱区,所述第一柱区有部分区域在所述有源区的范围内,所述第二柱区完全在所述有源区的范围外,在第一方向上,所述第一柱区和第二柱区均匀分布;在与所述第一方向垂直的第二方向上,所述第一柱区和第二柱区的两端齐平,且所述第一柱区的两端与所述有源区边缘的最短距离相同;在所述第一柱区和第二柱区的两端分别设置有一第三柱区,所述第一柱区、第二柱区和第三柱区均电性连接。本实用新型通过在第一柱区和第二柱区的两端分别设置第三柱区,实现了第一柱区、第二柱区和第三柱区的电性连接,可以缓解边缘的第二柱区最尾部的场强,提高器件的可靠性。