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一种NANDFlash固态存储自适应差错控制方法

基本信息

申请号 CN201810835470.8 申请日 -
公开（公告）号 CN109087683B 公开（公告）日 2021-08-17
申请公布号 CN109087683B 申请公布日 2021-08-17
分类号 G11C29/42（2006.01）I;G11C29/44（2006.01）I 分类 信息存储;
发明人 王祖良;张婷 申请（专利权）人 杭州华澜微电子股份有限公司
代理机构 西安智大知识产权代理事务所 代理人 何会侠
地址 710123陕西省西安市长安区西京路1号
法律状态 -

摘要

摘要 一种NAND型Flash固态存储自适应差错控制方法，包括将数据存入固态存储器之前，将待保存数据按照NAND Flash结构每页长度对数据进行分组，每组数据按照构造好的编码器对数据进行编码，并将编码后的码字按页存入数据区，校验位信息存入相应页的ECC区。读出数据时先利用高效纠错型硬数据译码模块对按页读出的数据进行译码，如果在合理的迭代次数内成功译码，则输出译码结果，进行下一页数据的读取和纠错处理；如果硬数据译码失败，或在合理的迭代次数内无法完成译码，则调用数据恢复型软信息译码，以降低时效性能为代价，进行数据恢复处理；本发明具有有对高误码率数据进行可靠恢复，避免重要数据的丢失的优点。