一种化合物半导体材料生长装置
基本信息
| 申请号 | CN201420247283.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN203834049U | 公开（公告）日 | 2014-09-17 |
| 申请公布号 | CN203834049U | 申请公布日 | 2014-09-17 |
| 分类号 | C30B11/00 | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 盛丽娜;程翠然;李阳 | 申请（专利权）人 | 西安西凯化合物材料有限公司 |
| 代理机构 | 西安吉盛专利代理有限责任公司 | 代理人 | 邱志贤 |
| 地址 | 710000 陕西省西安市西咸新区秦汉新城管委会兰池大道规划展览中心018室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型涉及一种化合物半导体生长装置，属于半导体材料生长工艺技术领域。其特征是：至少包括炉架、生长炉体、装载生长材料的石英坩埚、坩埚移动机构、上下恒温电阻丝加热炉、电阻丝、生长炉移动机构，生长炉体在炉架上平面内放置，生长炉体为一侧开口的管状结构，上下恒温电阻丝加热炉也为管状结构，上下恒温电阻丝加热炉外径小于生长炉体的内径，可使上下恒温电阻丝加热炉在生长炉体内移动；在上下恒温电阻丝加热炉一侧连接有生长炉移动机构；上下恒温电阻丝加热炉中心管道与坩埚移动机构活动连接，坩埚移动机构放置石英坩埚。该装置能实现化合物晶体的不同方法生长。 |
