一种实现化合物半导体材料退火的设备
基本信息
| 申请号 | CN201420247285.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN203834053U | 公开（公告）日 | 2014-09-17 |
| 申请公布号 | CN203834053U | 申请公布日 | 2014-09-17 |
| 分类号 | C30B33/02 | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 程翠然;盛丽娜;李阳 | 申请（专利权）人 | 西安西凯化合物材料有限公司 |
| 代理机构 | 西安吉盛专利代理有限责任公司 | 代理人 | 邱志贤 |
| 地址 | 710000 陕西省西安市西咸新区秦汉新城管委会兰池大道规划展览中心018室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种实现化合物半导体材料退火的设备，其特征是：至少包括：石英炉膛（1）、梯度温度加热器（2）、坩埚（3）、坩埚移动机构（4），坩埚移动机构（4）固定坩埚（3），坩埚移动机构（4）在石英炉膛（1）内活动固定，使坩埚（3）在石英炉膛（1）左右移动；石英炉膛（1）有梯度温度加热器（2）。该设备能根据晶体厚度，设定梯度温场的长度，从而快速、有效的改善半导体材料的均匀性。 |
