一种化合物半导体用合成炉
基本信息
| 申请号 | CN201520676445.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN204959081U | 公开（公告）日 | 2016-01-13 |
| 申请公布号 | CN204959081U | 申请公布日 | 2016-01-13 |
| 分类号 | C30B28/06;C30B29/40;C30B29/48 | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 于晖;魏登科;樊玉 | 申请（专利权）人 | 西安西凯化合物材料有限公司 |
| 代理机构 | 西安吉盛专利代理有限责任公司 | 代理人 | 邱志贤 |
| 地址 | 710000 陕西省西安市西咸新区秦汉新城周陵新兴产业园区天工一路东段8号-1 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型属于晶体的熔体法合成生长装置技术领域，具体提供了一种化合物半导体用合成炉，包括炉体、炉膛以及支架，炉膛设于炉体内，所述炉体与支架之间通过铰链一连接，支架上还固定有伺服电机，伺服电机的转轴与连杆二的右端固定连接，连杆二的左端与连杆一的下端铰接，连杆一的上端通过铰链二与炉体的左端连接；炉膛沿其表面绕有加热炉丝；炉膛与炉体之间填充有保温介质，该保温介质以炉体的中间部位为分界，其左半部分的导热系数低于右半部分的导热系数。本实用新型解决了化合物半导体合成炉在合成后，坩埚远地端元素附着、致使化合物偏离化学计量比的问题，提高了晶体生长的质量，降低了设备成本。 |
