基于AlGaN/GaN超晶格电子发射层GaN耿氏二极管及制作方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

基于AlGaN/GaN超晶格电子发射层GaN耿氏二极管及制作方法

基本信息

申请号	CN201410270942.1	申请日	-
公开（公告）号	CN104022220B	公开（公告）日	2017-01-11
申请公布号	CN104022220B	申请公布日	2017-01-11
分类号	H01L47/02(2006.01)I;H01L47/00(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	杨林安;许详;李亮;张进成;郝跃	申请（专利权）人	晋江三伍微电子有限公司
代理机构	陕西电子工业专利中心	代理人	西安电子科技大学;厦门宇臻集成电路科技有限公司
地址	710071 陕西省西安市太白南路2号
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种基于AlGaN/GaN超晶格电子发射层GaN耿氏二极管及其制作方法，主要解决现有耿氏器件功率低、散热差的问题。该二极管包括主体部分和辅体部分，主体部分自下而上为：SiC衬底、AlN成核层、n⁺GaN阴极欧姆接触层、电子发射层、n^‑GaN有源层和n⁺GaN阳极欧姆接触层；辅体部分包括环形电极、衬底电极、圆形电极、钝化层、开孔和通孔。其中：电子发射层采用AlGaN/GaN超晶格，该超晶格有4到6个周期，每个周期中GaN层和AlGaN层的厚度均为10‑20nm，且AlGaN层中的Al组分自下而上由0％线性渐变到15％。本发明能显著减小“死区”长度,降低位错浓度，适用于太赫兹频段工作。