具有双InGaN子量子阱的共振隧穿二极管及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201410696211.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN104465913B | 公开（公告）日 | 2017-06-16 |
| 申请公布号 | CN104465913B | 申请公布日 | 2017-06-16 |
| 分类号 | H01L33/06(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 杨林安;陈浩然;李月;田言;陈安;郝跃 | 申请（专利权）人 | 晋江三伍微电子有限公司 |
| 代理机构 | 陕西电子工业专利中心 | 代理人 | 西安电子科技大学;厦门宇臻集成电路科技有限公司 |
| 地址 | 710071 陕西省西安市太白南路2号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种具有双InGaN子量子阱的共振隧穿二极管，主要改善现有器件隧穿电流小、I‑V特性可重复性差的问题。其包括主体和辅体两部分，主体部分自下而上为：SiC衬底层、GaN外延层、n+GaN集电极欧姆接触层、第一GaN隔离层、第一InAlN势垒层、第一GaN主量子阱层、第二GaN主量子阱层、第二InAlN势垒层、第二GaN隔离层和n+GaN发射极欧姆接触层；辅体部分有环形电极、圆形电极和钝化层。环形电极在n+GaN集电极欧姆接触层上方，圆形电极在n+GaN发射极欧姆接触层上方，钝化层在环形和圆形电极上方。本发明能有效提高器件功率、降低功耗并改善可重复性，适用于太赫兹频段工作。 |
